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SIA527DJ-T1-GE3
双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 12 V, 12 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.024 ohm
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| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY6.180 | CNY30.90 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY6.180 (CNY6.9834) |
| 10+ | CNY3.850 (CNY4.3505) |
| 100+ | CNY2.500 (CNY2.825) |
| 500+ | CNY1.920 (CNY2.1696) |
| 1000+ | CNY1.340 (CNY1.5142) |
| 5000+ | CNY1.320 (CNY1.4916) |
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SIA527DJ-T1-GE3
库存编号
复卷3772807RL
切割卷带3772807
产品范围TrenchFET Series
技术数据表
通道类型N和P沟道
漏源电压Vds N沟道12V
漏源电压Vds P沟道12V
连续漏极电流 Id N沟道4.5A
连续漏极电流 Id P沟道4.5A
漏源通态电阻N沟道0.024ohm
漏源导通电阻P沟道0.024ohm
晶体管封装类型PowerPAK SC-70
针脚数6引脚
耗散功率N沟道7.8W
耗散功率P沟道7.8W
工作温度最高值150°C
产品范围TrenchFET Series
合规-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (04-Feb-2026)
技术规格
通道类型
N和P沟道
漏源电压Vds P沟道
12V
连续漏极电流 Id P沟道
4.5A
漏源导通电阻P沟道
0.024ohm
针脚数
6引脚
耗散功率P沟道
7.8W
产品范围
TrenchFET Series
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (04-Feb-2026)
漏源电压Vds N沟道
12V
连续漏极电流 Id N沟道
4.5A
漏源通态电阻N沟道
0.024ohm
晶体管封装类型
PowerPAK SC-70
耗散功率N沟道
7.8W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SIA527DJ-T1-GE3 的替代之选
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001