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SIA519EDJ-T1-GE3
双路场效应管, MOSFET, 互补N与P沟道, 20 V, 20 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.053 ohm
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| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY7.240 | CNY7.24 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY7.240 (CNY8.1812) |
| 10+ | CNY4.490 (CNY5.0737) |
| 100+ | CNY2.930 (CNY3.3109) |
| 500+ | CNY2.240 (CNY2.5312) |
| 1000+ | CNY1.740 (CNY1.9662) |
| 5000+ | CNY1.660 (CNY1.8758) |
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SIA519EDJ-T1-GE3复制
制造商标准货期48 周
库存编号
复卷2335390RL
切割卷带2335390
技术数据表
通道类型互补N与P沟道
漏源电压Vds N沟道20V
漏源电压Vds P沟道20V
连续漏极电流 Id N沟道4.5A
连续漏极电流 Id P沟道4.5A
漏源通态电阻N沟道0.053ohm
漏源导通电阻P沟道0.053ohm
晶体管封装类型PowerPAK SC-70
针脚数6引脚
耗散功率N沟道7.8W
耗散功率P沟道7.8W
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (04-Feb-2026)
产品概述
The SIA519EDJ-T1-GE3 is a N/P-channel MOSFET housed in a surface-mount package.
- Halogen-free
- TrenchFET® power MOSFET
- Typical ESD protection
- 100% Rg tested
技术规格
通道类型
互补N与P沟道
漏源电压Vds P沟道
20V
连续漏极电流 Id P沟道
4.5A
漏源导通电阻P沟道
0.053ohm
针脚数
6引脚
耗散功率P沟道
7.8W
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
20V
连续漏极电流 Id N沟道
4.5A
漏源通态电阻N沟道
0.053ohm
晶体管封装类型
PowerPAK SC-70
耗散功率N沟道
7.8W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (04-Feb-2026)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000454