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| 100+ | CNY2.050 (CNY2.3165) |
| 500+ | CNY1.930 (CNY2.1809) |
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| 5000+ | CNY1.470 (CNY1.6611) |
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SIA445EDJT-T1-GE3复制
制造商标准货期53 周
库存编号4853664
产品范围TrenchFET Series
技术数据表
通道类型P通道
漏源电压, Vds20V
电流, Id 连续12A
漏源接通状态电阻0.0167ohm
晶体管封装类型PowerPAK SC-70
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压4.5V
阈值栅源电压最大值1.2V
功率耗散19W
针脚数6引脚
工作温度最高值150°C
产品范围TrenchFET Series
合规-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (04-Feb-2026)
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
12A
晶体管封装类型
PowerPAK SC-70
Rds(on)测试电压
4.5V
功率耗散
19W
工作温度最高值
150°C
合规
-
漏源电压, Vds
20V
漏源接通状态电阻
0.0167ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1.2V
针脚数
6引脚
产品范围
TrenchFET Series
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (04-Feb-2026)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.015

