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SIA440DJ-T1-GE3
功率场效应管, MOSFET, N通道, 40 V, 12 A, 0.026 ohm, PowerPAK SC-70, 表面安装
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY6.840 (CNY7.7292) |
| 10+ | CNY4.310 (CNY4.8703) |
| 100+ | CNY2.810 (CNY3.1753) |
| 500+ | CNY2.170 (CNY2.4521) |
| 1000+ | CNY1.690 (CNY1.9097) |
| 5000+ | CNY1.400 (CNY1.582) |
包装规格：每个
最低: 5
多件: 5
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SIA440DJ-T1-GE3复制
库存编号2400370
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds40V
电流, Id 连续12A
漏源接通状态电阻0.026ohm
晶体管封装类型PowerPAK SC-70
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值-
功率耗散19W
针脚数6引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (04-Feb-2026)
产品概述
N-channel 40V (D-S) MOSFET for use in portable devices such as tablet PCs and mobile computing, DC/DC converter, boost converter, load switch, power management and LED backlighting.
- TrenchFET® power MOSFET
- 100% Rg and UIS tested
警告
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
12A
晶体管封装类型
PowerPAK SC-70
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
19W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (04-Feb-2026)
漏源电压, Vds
40V
漏源接通状态电阻
0.026ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
-
针脚数
6引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.002