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| 10+ | CNY9.640 (CNY10.8932) |
| 100+ | CNY6.420 (CNY7.2546) |
| 500+ | CNY5.150 (CNY5.8195) |
| 1000+ | CNY4.050 (CNY4.5765) |
| 5000+ | CNY4.000 (CNY4.520) |
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最低: 1
多件: 1
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产品概述
The SIA432DJ-T1-GE3 is a 30VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for load switch applications.
- Thermally enhanced PowerPAK® package
- Small footprint area
- 100% UIS tested
- Halogen-free
- -55 to 150°C Operating temperature range
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
12A
晶体管封装类型
PowerPAK SC-70
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
19.2W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (04-Feb-2026)
漏源电压, Vds
30V
漏源接通状态电阻
0.02ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
3V
针脚数
6引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.00005
