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SI9926CDY-T1-GE3
双路场效应管, MOSFET, N通道, 20 V, 20 V, 8 A, 8 A, 0.015 ohm
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY9.410 | CNY47.05 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY9.410 (CNY10.6333) |
| 50+ | CNY7.920 (CNY8.9496) |
| 100+ | CNY6.420 (CNY7.2546) |
| 500+ | CNY5.160 (CNY5.8308) |
| 1000+ | CNY4.790 (CNY5.4127) |
品項附註
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SI9926CDY-T1-GE3
库存编号
复卷2454811RL
切割卷带2454811
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压Vds N沟道20V
漏源电压Vds P沟道20V
连续漏极电流 Id N沟道8A
连续漏极电流 Id P沟道8A
漏源通态电阻N沟道0.015ohm
漏源导通电阻P沟道0.015ohm
晶体管封装类型NSOIC
针脚数8引脚
耗散功率N沟道3.1W
耗散功率P沟道3.1W
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (04-Feb-2026)
产品概述
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长, 交货日期可能会有延迟.
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds P沟道
20V
连续漏极电流 Id P沟道
8A
漏源导通电阻P沟道
0.015ohm
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
3.1W
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
20V
连续漏极电流 Id N沟道
8A
漏源通态电阻N沟道
0.015ohm
晶体管封装类型
NSOIC
耗散功率N沟道
3.1W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (04-Feb-2026)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000141