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SI8816EDB-T2-E1
功率场效应管, MOSFET, N通道, 30 V, 2.3 A, 0.087 ohm, MICRO FOOT, 表面安装
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| 数量 | 价钱 (含税) |
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| 100+ | CNY1.660 (CNY1.8758) |
| 500+ | CNY1.320 (CNY1.4916) |
| 1000+ | CNY0.968 (CNY1.0938) |
| 5000+ | CNY0.886 (CNY1.0012) |
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SI8816EDB-T2-E1
库存编号2364065
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds30V
电流, Id 连续2.3A
漏源接通状态电阻0.087ohm
晶体管封装类型MICRO FOOT
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值600mV
功率耗散900mW
针脚数4引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (04-Feb-2026)
产品概述
The SI8816EDB-T2-E1 is a 30VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for load switch, OVP management, high-speed switching and DC-to-DC converter applications.
- 0.8 x 0.8mm Ultra-small outline
- 0.4mm Maximum ultra-thin height
- 1700V ESD protection
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
2.3A
晶体管封装类型
MICRO FOOT
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
900mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (04-Feb-2026)
漏源电压, Vds
30V
漏源接通状态电阻
0.087ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
600mV
针脚数
4引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00012