打印页面
SI8406DB-T2-E1
功率场效应管, MOSFET, N通道, 20 V, 16 A, 0.026 ohm, MICRO FOOT, 表面安装
可订购
制造商标准交货时间：52 周
有货时请通知我
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY7.400 (CNY8.362) |
| 10+ | CNY4.610 (CNY5.2093) |
| 100+ | CNY3.010 (CNY3.4013) |
| 500+ | CNY2.310 (CNY2.6103) |
| 1000+ | CNY2.270 (CNY2.5651) |
包装规格：每个
最低: 1
多件: 1
CNY7.40 (CNY8.36 含税)
品項附註
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
产品概述
The SI8406DB-T2-E1 is a 20VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for load switch, battery management and boost converter applications.
- 1.5 x 1mm Maximum ultra-small outline
- 0.59mm Maximum ultra-thin height
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
16A
晶体管封装类型
MICRO FOOT
Rds(on)测试电压
4.5V
功率耗散
13W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (04-Feb-2026)
漏源电压, Vds
20V
漏源接通状态电阻
0.026ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
400mV
针脚数
6引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00012