打印页面
SI7998DP-T1-GE3
双路场效应管, MOSFET, N通道, 30 V, 30 V, 30 A, 30 A, 7600 µohm
2,739 有货
需要更多？
2739 件可于 5-6 个工作日内送达(英国 库存)
包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY19.790 | CNY19.79 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY19.790 (CNY22.3627) |
| 10+ | CNY12.710 (CNY14.3623) |
| 100+ | CNY8.580 (CNY9.6954) |
| 500+ | CNY6.840 (CNY7.7292) |
| 1000+ | CNY5.700 (CNY6.441) |
| 5000+ | CNY5.590 (CNY6.3167) |
品項附註
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SI7998DP-T1-GE3
库存编号
复卷3772791RL
切割卷带3772791
产品范围TrenchFET Series
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压Vds N沟道30V
漏源电压Vds P沟道30V
连续漏极电流 Id N沟道30A
连续漏极电流 Id P沟道30A
漏源通态电阻N沟道7600µohm
漏源导通电阻P沟道7600µohm
晶体管封装类型PowerPAK SO
针脚数8引脚
耗散功率N沟道40W
耗散功率P沟道40W
工作温度最高值150°C
产品范围TrenchFET Series
合规-
SVHC(高度关注物质)Lead (04-Feb-2026)
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds P沟道
30V
连续漏极电流 Id P沟道
30A
漏源导通电阻P沟道
7600µohm
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
40W
产品范围
TrenchFET Series
SVHC(高度关注物质)
Lead (04-Feb-2026)
漏源电压Vds N沟道
30V
连续漏极电流 Id N沟道
30A
漏源通态电阻N沟道
7600µohm
晶体管封装类型
PowerPAK SO
耗散功率N沟道
40W
工作温度最高值
150°C
合规
-
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (04-Feb-2026)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001