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SI7997DP-T1-GE3
双路场效应管, MOSFET, P通道, 30 V, 30 V, 60 A, 60 A, 4500 µohm
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY19.890 | CNY99.45 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY19.890 (CNY22.4757) |
| 50+ | CNY16.910 (CNY19.1083) |
| 100+ | CNY13.930 (CNY15.7409) |
| 500+ | CNY11.420 (CNY12.9046) |
| 1500+ | CNY11.200 (CNY12.656) |
整卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 3000+ | CNY10.140 (CNY11.4582) |
| 9000+ | CNY9.940 (CNY11.2322) |
品項附註
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SI7997DP-T1-GE3
库存编号
整卷2679706
复卷2646396RL
切割卷带2646396
产品范围TrenchFET Series
技术数据表
通道类型P通道
漏源电压Vds N沟道30V
漏源电压Vds P沟道30V
连续漏极电流 Id N沟道60A
连续漏极电流 Id P沟道60A
漏源通态电阻N沟道4500µohm
漏源导通电阻P沟道4500µohm
晶体管封装类型PowerPAK SO
针脚数8引脚
耗散功率N沟道46W
耗散功率P沟道46W
工作温度最高值150°C
产品范围TrenchFET Series
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (04-Feb-2026)
技术规格
通道类型
P通道
漏源电压Vds P沟道
30V
连续漏极电流 Id P沟道
60A
漏源导通电阻P沟道
4500µohm
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
46W
产品范围
TrenchFET Series
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
30V
连续漏极电流 Id N沟道
60A
漏源通态电阻N沟道
4500µohm
晶体管封装类型
PowerPAK SO
耗散功率N沟道
46W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (04-Feb-2026)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Israel
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Israel
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (04-Feb-2026)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000231