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SI7938DP-T1-GE3
双路场效应管, MOSFET, N通道, 40 V, 60 A, 4800 µohm
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY18.160 | CNY18.16 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY18.160 (CNY20.5208) |
| 10+ | CNY11.660 (CNY13.1758) |
| 100+ | CNY7.930 (CNY8.9609) |
| 500+ | CNY6.330 (CNY7.1529) |
| 1000+ | CNY6.000 (CNY6.780) |
| 5000+ | CNY5.670 (CNY6.4071) |
品項附註
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SI7938DP-T1-GE3复制
库存编号
复卷1853789RL
切割卷带1853789
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压Vds N沟道40V
漏源电压Vds P沟道-
连续漏极电流 Id N沟道60A
连续漏极电流 Id P沟道-
漏源通态电阻N沟道4800µohm
晶体管封装类型PowerPAK SO
针脚数8引脚
耗散功率N沟道3.5W
耗散功率P沟道-
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (04-Feb-2026)
产品概述
SI7938DP-T1-GE3是一款40V双N沟道TrenchFET®功率MOSFET. N沟道MOSFET用于开关应用, 可提供1mΩ左右的电阻, 并可处理85A.
- 无卤素, 符合IEC 61249-2-21标准
- 100％Rg经过测试
- 100％UIS经过测试
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长, 交货日期可能会有延迟.
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds P沟道
-
连续漏极电流 Id P沟道
-
晶体管封装类型
PowerPAK SO
耗散功率N沟道
3.5W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (04-Feb-2026)
漏源电压Vds N沟道
40V
连续漏极电流 Id N沟道
60A
漏源通态电阻N沟道
4800µohm
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
-
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (04-Feb-2026)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00023