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SI7923DN-T1-GE3
双路场效应管, MOSFET, P通道, 30 V, 30 V, 6.4 A, 6.4 A, 0.075 ohm
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
已停产
产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SI7923DN-T1-GE3复制
库存编号3126509
产品范围TrenchFET Series
技术数据表
通道类型P通道
漏源电压Vds N沟道30V
漏源电压Vds P沟道30V
连续漏极电流 Id N沟道6.4A
连续漏极电流 Id P沟道6.4A
漏源通态电阻N沟道0.075ohm
漏源导通电阻P沟道0.075ohm
晶体管封装类型PowerPAK 1212
针脚数8引脚
耗散功率N沟道1.3W
耗散功率P沟道1.3W
工作温度最高值150°C
产品范围TrenchFET Series
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)0
SI7923DN-T1-GE3 的替代之选
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技术规格
通道类型
P通道
漏源电压Vds P沟道
30V
连续漏极电流 Id P沟道
6.4A
漏源导通电阻P沟道
0.075ohm
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
1.3W
产品范围
TrenchFET Series
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
30V
连续漏极电流 Id N沟道
6.4A
漏源通态电阻N沟道
0.075ohm
晶体管封装类型
PowerPAK 1212
耗散功率N沟道
1.3W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
0
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:0
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000157