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SI7898DP-T1-GE3
功率场效应管, MOSFET, N通道, 150 V, 3 A, 0.085 ohm, SOIC, 表面安装
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY15.700 | CNY78.50 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY15.700 (CNY17.741) |
| 50+ | CNY13.260 (CNY14.9838) |
| 100+ | CNY10.820 (CNY12.2266) |
| 500+ | CNY8.470 (CNY9.5711) |
| 1500+ | CNY8.310 (CNY9.3903) |
品項附註
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产品概述
SI7898DP-T1-GE3 是一款150VDS TrenchFET® N沟道增强型功率MOSFET, 适用于DC-DC电源初级侧开关, 工业电机驱动器应用。
- 新型低热阻PowerPAK®封装, 体积小, 厚度仅为1.07mm
- PWM优化
- 快速开关
- 100％Rg经过测试
- 无卤素
- -55至150°C工作温度范围
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长, 交货日期可能会有延迟.
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
3A
晶体管封装类型
SOIC
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
1.9W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (04-Feb-2026)
漏源电压, Vds
150V
漏源接通状态电阻
0.085ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
2V
针脚数
8引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
SI7898DP-T1-GE3 的替代之选
找到 1 件产品
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Israel
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Israel
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000145