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SI7852DP-T1-E3
功率场效应管, MOSFET, N通道, 80 V, 7.6 A, 0.0165 ohm, PowerPAK SO, 表面安装
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| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY21.020 | CNY105.10 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY21.020 (CNY23.7526) |
| 50+ | CNY17.900 (CNY20.227) |
| 100+ | CNY14.780 (CNY16.7014) |
| 500+ | CNY12.350 (CNY13.9555) |
| 1500+ | CNY12.110 (CNY13.6843) |
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SI7852DP-T1-E3
库存编号
复卷1470137RL
切割卷带1470137
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds80V
电流, Id 连续7.6A
漏源接通状态电阻0.0165ohm
晶体管封装类型PowerPAK SO
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值2V
功率耗散1.9W
针脚数8引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (04-Feb-2026)
产品概述
The SI7852DP-T1-E3 is a 80VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for primary side switch applications.
- New low thermal resistance PowerPAK® package with small size and low 1.07mm profile
- PWM optimized
- Fast switching
- 100% Rg tested
- -55 to 150°C Operating temperature range
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
7.6A
晶体管封装类型
PowerPAK SO
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
1.9W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (04-Feb-2026)
漏源电压, Vds
80V
漏源接通状态电阻
0.0165ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
2V
针脚数
8引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00022