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SI7615DN-T1-GE3
功率场效应管, MOSFET, P通道, 20 V, 35 A, 0.0039 ohm, PowerPAK 1212, 表面安装
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|---|---|
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| 10+ | CNY11.050 (CNY12.4865) |
| 100+ | CNY10.460 (CNY11.8198) |
| 500+ | CNY9.860 (CNY11.1418) |
| 1000+ | CNY8.260 (CNY9.3338) |
| 5000+ | CNY7.530 (CNY8.5089) |
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SI7615DN-T1-GE3复制
制造商标准货期53 周
库存编号4853658
产品范围TrenchFET Series
技术数据表
通道类型P通道
漏源电压, Vds20V
电流, Id 连续35A
漏源接通状态电阻0.0039ohm
晶体管封装类型PowerPAK 1212
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压4.5V
阈值栅源电压最大值1.5V
功率耗散52W
针脚数8引脚
工作温度最高值150°C
产品范围TrenchFET Series
合规-
SVHC(高度关注物质)Lead (04-Feb-2026)
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
35A
晶体管封装类型
PowerPAK 1212
Rds(on)测试电压
4.5V
功率耗散
52W
工作温度最高值
150°C
合规
-
漏源电压, Vds
20V
漏源接通状态电阻
0.0039ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1.5V
针脚数
8引脚
产品范围
TrenchFET Series
SVHC(高度关注物质)
Lead (04-Feb-2026)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (04-Feb-2026)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.015