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SI7611DN-T1-GE3.
MOSFET, P CHANNEL, -40V, -18A, POWERPAK 1212-8
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| 100+ | CNY8.470 (CNY9.5711) |
| 500+ | CNY6.780 (CNY7.6614) |
| 1000+ | CNY5.860 (CNY6.6218) |
| 5000+ | CNY5.750 (CNY6.4975) |
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SI7611DN-T1-GE3.复制
制造商标准货期5 周
库存编号2459434
技术数据表
电流, Id 连续18A
漏源接通状态电阻0.025ohm
晶体管安装Surface Mount
阈值栅源电压最大值1V
功率耗散3.7W
工作温度最高值150°C
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 - Unlimited
SVHC(高度关注物质)No SVHC (04-Feb-2026)
技术规格
电流, Id 连续
18A
晶体管安装
Surface Mount
功率耗散
3.7W
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (04-Feb-2026)
漏源接通状态电阻
0.025ohm
阈值栅源电压最大值
1V
工作温度最高值
150°C
湿气敏感性等级
MSL 1 - Unlimited
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000089