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SI7611DN-T1-GE3.

MOSFET, P CHANNEL, -40V, -18A, POWERPAK 1212-8

VISHAY
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
VISHAY SI7611DN-T1-GE3. MOSFET, P CHANNEL, -40V, -18A, POWERPAK 1212-8
制造商VISHAY
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制造商标准货期6 周
库存编号2459434
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产品信息

  • VISHAY
    制造商VISHAY
    制造商产品编号SI7611DN-T1-GE3.复制
    制造商标准货期6 周
    库存编号2459434
    技术数据表

    Data Sheet

    电流, Id 连续18A
    漏源接通状态电阻0.025ohm
    晶体管安装Surface Mount
    阈值栅源电压最大值1V
    功率耗散3.7W
    工作温度最高值150°C
    合规-
    湿气敏感性等级MSL 1 - Unlimited
    SVHC(高度关注物质)No SVHC (04-Feb-2026)

技术规格

  • 电流, Id 连续

    18A

    晶体管安装

    Surface Mount

    功率耗散

    3.7W

    合规

    -

    SVHC(高度关注物质)

    No SVHC (04-Feb-2026)

    漏源接通状态电阻

    0.025ohm

    阈值栅源电压最大值

    1V

    工作温度最高值

    150°C

    湿气敏感性等级

    MSL 1 - Unlimited

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法律与环境

  • 原产地：
    进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：    China
    进行最后一道重要生产流程所在的地区
    税则号：85412900
    US ECCN:EAR99
    EU ECCN:NLR
    RoHS 合规：是

    RoHS

    RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是

    RoHS

    SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
    下载产品合规证书

    产品合规证书

    重量（千克）：.000089