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SI7489DP-T1-GE3
功率场效应管, MOSFET, P通道, 100 V, 28 A, 0.041 ohm, PowerPAK SO, 表面安装
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY27.570 | CNY27.57 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY27.570 (CNY31.1541) |
| 10+ | CNY18.010 (CNY20.3513) |
| 100+ | CNY12.630 (CNY14.2719) |
| 500+ | CNY10.610 (CNY11.9893) |
| 1000+ | CNY9.800 (CNY11.074) |
品項附註
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产品概述
SI7489DP-T1-GE3 是一款-100V P沟道TrenchFET® 功率MOSFET。P沟道MOSFET适用于开关应用, 1mΩ导通电阻, 可处理85A。
- 无卤素, 符合IEC 61249-2-21标准
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
28A
晶体管封装类型
PowerPAK SO
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
83W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (04-Feb-2026)
漏源电压, Vds
100V
漏源接通状态电阻
0.041ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
3V
针脚数
8引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
-
SI7489DP-T1-GE3 的替代之选
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Israel
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Israel
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000238