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SI7469DP-T1-GE3
功率场效应管, MOSFET, 沟槽式FET, P通道, 80 V, 28 A, 0.025 ohm, PowerPAK SO, 表面安装
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| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY17.260 | CNY86.30 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY17.260 (CNY19.5038) |
| 50+ | CNY14.760 (CNY16.6788) |
| 100+ | CNY12.260 (CNY13.8538) |
| 500+ | CNY9.870 (CNY11.1531) |
| 1500+ | CNY9.680 (CNY10.9384) |
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产品概述
SI7469DP-T1-GE3是一款80VDS TrenchFET® P沟道增强型功率MOSFET, 带反并联二极管。
- 无卤素
- 工作温度范围: -55到150°C
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
28A
晶体管封装类型
PowerPAK SO
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
83W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (04-Feb-2026)
漏源电压, Vds
80V
漏源接通状态电阻
0.025ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
3V
针脚数
8引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
-
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Israel
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Israel
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.004536