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产品概述
SI7415DN-T1-GE3是一款-60V P沟道TrenchFET®功率MOSFET。适合用于负载开关、半桥电机驱动和高压非同步降压转换器应用。用于开关应用的P沟道MOSFET现在可提供约1mΩ的芯片电阻,并具有处理85A的能力。
- 无卤素,符合IEC 61249-2-21标准
- 快速开关
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长。交货日期可能会有延迟。该产品不在折扣范围内。
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
3.6A
晶体管封装类型
PowerPAK 1212
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
1.5W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (04-Feb-2026)
漏源电压, Vds
60V
漏源接通状态电阻
0.065ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1V
针脚数
8引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
SI7415DN-T1-GE3 的替代之选
找到 2 件产品
法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Israel
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Israel
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.000069
