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SI7414DN-T1-E3
功率场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 5.6 A, 0.025 ohm, PowerPAK 1212, 表面安装
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
已停产
包装选项
产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SI7414DN-T1-E3
库存编号
复卷2396082RL
切割卷带2396082
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds60V
电流, Id 连续5.6A
漏源接通状态电阻0.025ohm
晶体管封装类型PowerPAK 1212
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值3V
功率耗散1.5W
针脚数8引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (10-Jun-2022)
产品概述
The SI7414DN-T1-E3 is a TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for DC-to-DC conversion applications.
- Reduced total dynamic gate charge (Qg)
- Fast switching
- PWM optimized for high efficiency
- New low thermal resistance PowerPAK® package with small size and low 1.07mm profile
- 100% Rg tested
- -55 to 150°C Operating temperature range
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
5.6A
晶体管封装类型
PowerPAK 1212
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
1.5W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (10-Jun-2022)
漏源电压, Vds
60V
漏源接通状态电阻
0.025ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
3V
针脚数
8引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (10-Jun-2022)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000157