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SI7216DN-T1-E3
双路场效应管, MOSFET, 双N通道, 40 V, 6 A, 0.032 ohm
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| 100+ | CNY7.860 (CNY8.8818) |
| 500+ | CNY6.240 (CNY7.0512) |
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| 5000+ | CNY5.140 (CNY5.8082) |
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SI7216DN-T1-E3复制
制造商标准货期69 周
库存编号4853742
产品范围TrenchFET Series
技术数据表
通道类型双N通道
漏源电压Vds N沟道40V
漏源电压Vds P沟道-
连续漏极电流 Id N沟道6A
连续漏极电流 Id P沟道-
漏源通态电阻N沟道0.032ohm
漏源导通电阻P沟道-
晶体管封装类型PowerPAK 1212
针脚数8引脚
耗散功率N沟道20.8W
耗散功率P沟道-
工作温度最高值150°C
产品范围TrenchFET Series
合规-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (04-Feb-2026)
技术规格
通道类型
双N通道
漏源电压Vds P沟道
-
连续漏极电流 Id P沟道
-
漏源导通电阻P沟道
-
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
-
产品范围
TrenchFET Series
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (04-Feb-2026)
漏源电压Vds N沟道
40V
连续漏极电流 Id N沟道
6A
漏源通态电阻N沟道
0.032ohm
晶体管封装类型
PowerPAK 1212
耗散功率N沟道
20.8W
工作温度最高值
150°C
合规
-
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.015