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SI7157DP-T1-GE3
功率场效应管, MOSFET, P通道, 20 V, 60 A, 1600 µohm, PowerPAK SO, 表面安装
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY20.650 | CNY20.65 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY20.650 (CNY23.3345) |
| 10+ | CNY13.320 (CNY15.0516) |
| 100+ | CNY9.090 (CNY10.2717) |
| 500+ | CNY7.270 (CNY8.2151) |
| 1000+ | CNY6.650 (CNY7.5145) |
| 5000+ | CNY6.520 (CNY7.3676) |
品項附註
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产品概述
The SI7157DP-T1-GE3 is a 20V P-channel TrenchFET® Gen III Power MOSFET for mobile computing.
- 100% Rg Tested
- 100% UIS Tested
- ±12V Gate-source voltage
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长, 交货日期可能会有延迟.
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
60A
晶体管封装类型
PowerPAK SO
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
104W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (04-Feb-2026)
漏源电压, Vds
20V
漏源接通状态电阻
1600µohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1.4V
针脚数
8引脚
产品范围
E
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (04-Feb-2026)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000272