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SI7149DP-T1-GE3
功率场效应管, MOSFET, P通道, 30 V, 50 A, 5200 µohm, SOIC, 表面安装
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| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY12.820 | CNY64.10 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY12.820 (CNY14.4866) |
| 50+ | CNY10.770 (CNY12.1701) |
| 100+ | CNY8.720 (CNY9.8536) |
| 500+ | CNY6.380 (CNY7.2094) |
| 1500+ | CNY6.260 (CNY7.0738) |
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SI7149DP-T1-GE3复制
库存编号
复卷1794808RL
切割卷带1794808
技术数据表
通道类型P通道
漏源电压, Vds30V
电流, Id 连续50A
漏源接通状态电阻5200µohm
晶体管封装类型SOIC
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值1.2V
功率耗散69W
针脚数8引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (04-Feb-2026)
产品概述
The SI7149DP-T1-GE3 is a -30V P-channel TrenchFET® Power MOSFET. Suitable for load switches, notebook PCs, desktop PCs and game station applications. The P-channel MOSFET for switching applications are now available with die on resistances around 1mΩ and with the capability to handle 85A.
- Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition
- 100% UIS Tested
警告
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技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
50A
晶体管封装类型
SOIC
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
69W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (04-Feb-2026)
漏源电压, Vds
30V
漏源接通状态电阻
5200µohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1.2V
针脚数
8引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
SI7149DP-T1-GE3 的替代之选
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (04-Feb-2026)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000127