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SI7137DP-T1-GE3
功率场效应管, MOSFET, P通道, 20 V, 60 A, 1950 µohm, PowerPAK SO, 表面安装
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| 10+ | CNY17.190 (CNY19.4247) |
| 100+ | CNY11.960 (CNY13.5148) |
| 500+ | CNY9.730 (CNY10.9949) |
| 1000+ | CNY9.570 (CNY10.8141) |
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产品概述
SI7137DP-T1-GE3 是一款20V P沟道TrenchFET® Gen III功率MOSFET, 适用于适配器开关, 电池和负载开关应用。
- 无卤素，符合IEC 61249-2-21标准
- 100% Rg经过测试
- 100%经过UIS测试
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
60A
晶体管封装类型
PowerPAK SO
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
104W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (04-Feb-2026)
漏源电压, Vds
20V
漏源接通状态电阻
1950µohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1.4V
针脚数
8引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
SI7137DP-T1-GE3 的替代之选
找到 2 件产品
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (04-Feb-2026)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00001