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SI7119DN-T1-GE3
功率场效应管, MOSFET, P通道, 200 V, 3.8 A, 1.05 ohm, PowerPAK 1212, 表面安装
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
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| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY8.690 | CNY43.45 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY8.690 (CNY9.8197) |
| 50+ | CNY7.190 (CNY8.1247) |
| 100+ | CNY5.680 (CNY6.4184) |
| 500+ | CNY3.950 (CNY4.4635) |
| 1500+ | CNY3.880 (CNY4.3844) |
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SI7119DN-T1-GE3
库存编号
复卷2295737RL
切割卷带2295737
技术数据表
通道类型P通道
漏源电压, Vds200V
电流, Id 连续3.8A
漏源接通状态电阻1.05ohm
晶体管封装类型PowerPAK 1212
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值4V
功率耗散3.7W
针脚数8引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (04-Feb-2026)
产品概述
SI7119DN-T1-GE3是一款200VDS TrenchFET® P沟道增强模式功率MOSFET，适用于中间直流到直流电源应用中的有源钳制。
- 低热阻PowerPAK®封装, 体积小, 厚度仅为1.07mm
- 100% Rg经过测试
- 100%经过UIS测试
- 无卤素
- 工作温度范围: -50到150°C
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
3.8A
晶体管封装类型
PowerPAK 1212
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
3.7W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (04-Feb-2026)
漏源电压, Vds
200V
漏源接通状态电阻
1.05ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
4V
针脚数
8引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
SI7119DN-T1-GE3 的替代之选
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Israel
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Israel
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000322