打印页面
SI7115DN-T1-GE3
功率场效应管, MOSFET, P通道, 150 V, 8.9 A, 0.295 ohm, PowerPAK 1212, 表面安装
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
可订购
制造商标准交货时间：73 周
有货时请通知我
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY26.630 (CNY30.0919) |
| 10+ | CNY17.210 (CNY19.4473) |
| 100+ | CNY11.850 (CNY13.3905) |
| 500+ | CNY9.610 (CNY10.8593) |
| 1000+ | CNY8.570 (CNY9.6841) |
| 5000+ | CNY8.400 (CNY9.492) |
包装规格：每个
最低: 1
多件: 1
CNY26.63 (CNY30.09 含税)
品項附註
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
产品概述
The SI7115DN-T1-GE3 is a 150VDS TrenchFET® P-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for active clamp in intermediate DC-to-DC power supplies and H-bridge high side switch applications.
- Low thermal resistance PowerPAK® package with small size and low 1mm profile
- 100% Rg tested
- 100% UIS tested
- Halogen-free
- -50 to 150°C Operating temperature range
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
8.9A
晶体管封装类型
PowerPAK 1212
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
52W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (04-Feb-2026)
漏源电压, Vds
150V
漏源接通状态电阻
0.295ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
2V
针脚数
8引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
SI7115DN-T1-GE3 的替代之选
找到 1 件产品
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Israel
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Israel
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.001