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产品概述
- P沟道100V(D-S)TrenchFET®功率MOSFET
- 低热阻PowerPAK®封装,具有1.07mm的低轮廓
- UIS和Rg测试
- 适用于中间DC/DC电源中的有源钳位
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
13.2A
晶体管封装类型
PowerPAK 1212
Rds(on)测试电压
4.5V
功率耗散
52W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (04-Feb-2026)
漏源电压, Vds
100V
漏源接通状态电阻
0.134ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1V
针脚数
8引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.000069

