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SI6913DQ-T1-GE3
双路场效应管, MOSFET, P通道, 12 V, 12 V, 4.9 A, 4.9 A, 0.016 ohm
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| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY22.990 | CNY22.99 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY22.990 (CNY25.9787) |
| 10+ | CNY14.610 (CNY16.5093) |
| 100+ | CNY9.780 (CNY11.0514) |
| 500+ | CNY9.030 (CNY10.2039) |
| 1000+ | CNY8.270 (CNY9.3451) |
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SI6913DQ-T1-GE3
库存编号
复卷2454810RL
切割卷带2454810
技术数据表
通道类型P通道
漏源电压Vds N沟道12V
漏源电压Vds P沟道12V
连续漏极电流 Id N沟道4.9A
连续漏极电流 Id P沟道4.9A
漏源通态电阻N沟道0.016ohm
漏源导通电阻P沟道0.016ohm
晶体管封装类型TSSOP
针脚数8引脚
耗散功率N沟道830mW
耗散功率P沟道830mW
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (04-Feb-2026)
技术规格
通道类型
P通道
漏源电压Vds P沟道
12V
连续漏极电流 Id P沟道
4.9A
漏源导通电阻P沟道
0.016ohm
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
830mW
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
12V
连续漏极电流 Id N沟道
4.9A
漏源通态电阻N沟道
0.016ohm
晶体管封装类型
TSSOP
耗散功率N沟道
830mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (04-Feb-2026)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Israel
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Israel
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00033