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SI5936DU-T1-GE3
双路场效应管, MOSFET, 双N通道, 30 V, 6 A, 0.025 ohm
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| 100+ | CNY2.430 (CNY2.7459) |
| 500+ | CNY2.380 (CNY2.6894) |
| 1000+ | CNY2.330 (CNY2.6329) |
| 5000+ | CNY2.270 (CNY2.5651) |
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SI5936DU-T1-GE3复制
库存编号4853739
产品范围TrenchFET Series
技术数据表
通道类型双N通道
漏源电压Vds N沟道30V
漏源电压Vds P沟道-
连续漏极电流 Id N沟道6A
连续漏极电流 Id P沟道-
漏源通态电阻N沟道0.025ohm
漏源导通电阻P沟道-
晶体管封装类型PowerPAK ChipFET
针脚数8引脚
耗散功率N沟道10.4W
耗散功率P沟道-
工作温度最高值150°C
产品范围TrenchFET Series
合规-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (04-Feb-2026)
技术规格
通道类型
双N通道
漏源电压Vds P沟道
-
连续漏极电流 Id P沟道
-
漏源导通电阻P沟道
-
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
-
产品范围
TrenchFET Series
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (04-Feb-2026)
漏源电压Vds N沟道
30V
连续漏极电流 Id N沟道
6A
漏源通态电阻N沟道
0.025ohm
晶体管封装类型
PowerPAK ChipFET
耗散功率N沟道
10.4W
工作温度最高值
150°C
合规
-
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.015