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SI5908BDC-T1-GE3
双路场效应管, MOSFET, 双N通道, 20 V, 4 A, 0.036 ohm
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY8.730 (CNY9.8649) |
| 10+ | CNY5.790 (CNY6.5427) |
| 100+ | CNY4.000 (CNY4.520) |
| 500+ | CNY3.230 (CNY3.6499) |
| 1000+ | CNY2.860 (CNY3.2318) |
| 5000+ | CNY2.800 (CNY3.164) |
包装规格：单件（切割供应）
最低: 1
多件: 1
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品項附註
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技术规格
通道类型
双N通道
漏源电压Vds P沟道
-
连续漏极电流 Id P沟道
-
漏源导通电阻P沟道
-
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
-
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压Vds N沟道
20V
连续漏极电流 Id N沟道
4A
漏源通态电阻N沟道
0.036ohm
晶体管封装类型
ChipFET
耗散功率N沟道
3.1W
工作温度最高值
150°C
合规
-
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.001