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SI5517DU-T1-GE3
双路场效应管, MOSFET, 互补N与P沟道, 20 V, 20 V, 6 A, 6 A, 0.032 ohm
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
已停产
产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SI5517DU-T1-GE3
库存编号3772766
产品范围Trench Series
技术数据表
通道类型互补N与P沟道
漏源电压Vds N沟道20V
漏源电压Vds P沟道20V
连续漏极电流 Id N沟道6A
连续漏极电流 Id P沟道6A
漏源通态电阻N沟道0.032ohm
漏源导通电阻P沟道0.032ohm
晶体管封装类型PowerPAK
针脚数8引脚
耗散功率N沟道2.3W
耗散功率P沟道2.3W
工作温度最高值150°C
产品范围Trench Series
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)To Be Advised
SI5517DU-T1-GE3 的替代之选
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技术规格
通道类型
互补N与P沟道
漏源电压Vds P沟道
20V
连续漏极电流 Id P沟道
6A
漏源导通电阻P沟道
0.032ohm
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
2.3W
产品范围
Trench Series
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
20V
连续漏极电流 Id N沟道
6A
漏源通态电阻N沟道
0.032ohm
晶体管封装类型
PowerPAK
耗散功率N沟道
2.3W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
To Be Advised
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:To Be Advised
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000073