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SI5513CDC-T1-GE3
双路场效应管, MOSFET, 互补N与P沟道, 20 V, 20 V, 4 A, 4 A, 0.045 ohm
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| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY7.660 | CNY7.66 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY7.660 (CNY8.6558) |
| 10+ | CNY4.750 (CNY5.3675) |
| 100+ | CNY3.100 (CNY3.503) |
| 500+ | CNY2.370 (CNY2.6781) |
| 1000+ | CNY1.830 (CNY2.0679) |
| 5000+ | CNY1.590 (CNY1.7967) |
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SI5513CDC-T1-GE3复制
库存编号
复卷3772765RL
切割卷带3772765
产品范围Trench Series
技术数据表
通道类型互补N与P沟道
漏源电压Vds N沟道20V
漏源电压Vds P沟道20V
连续漏极电流 Id N沟道4A
连续漏极电流 Id P沟道4A
漏源通态电阻N沟道0.045ohm
漏源导通电阻P沟道0.045ohm
晶体管封装类型ChipFET
针脚数8引脚
耗散功率N沟道3.1W
耗散功率P沟道3.1W
工作温度最高值150°C
产品范围Trench Series
合规-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (04-Feb-2026)
技术规格
通道类型
互补N与P沟道
漏源电压Vds P沟道
20V
连续漏极电流 Id P沟道
4A
漏源导通电阻P沟道
0.045ohm
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
3.1W
产品范围
Trench Series
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (04-Feb-2026)
漏源电压Vds N沟道
20V
连续漏极电流 Id N沟道
4A
漏源通态电阻N沟道
0.045ohm
晶体管封装类型
ChipFET
耗散功率N沟道
3.1W
工作温度最高值
150°C
合规
-
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001