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SI4948BEY-T1-E3
双路场效应管, MOSFET, P通道, 60 V, 60 V, 2.4 A, 2.4 A, 0.1 ohm
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|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY9.050 | CNY45.25 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY9.050 (CNY10.2265) |
| 50+ | CNY7.720 (CNY8.7236) |
| 100+ | CNY6.380 (CNY7.2094) |
| 500+ | CNY5.050 (CNY5.7065) |
| 1000+ | CNY4.430 (CNY5.0059) |
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产品信息
制造商VISHAY
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库存编号
复卷2396086RL
切割卷带2396086
技术数据表
通道类型P通道
漏源电压Vds N沟道60V
漏源电压Vds P沟道60V
连续漏极电流 Id N沟道2.4A
连续漏极电流 Id P沟道2.4A
漏源通态电阻N沟道0.1ohm
漏源导通电阻P沟道0.1ohm
晶体管封装类型SOIC
针脚数8引脚
耗散功率N沟道1.4W
耗散功率P沟道1.4W
工作温度最高值175°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (04-Feb-2026)
产品概述
SI4948BEY-T1-E3是一款双P通道MOSFET，采用表面安装封装。
- TrenchFET® power MOSFET
技术规格
通道类型
P通道
漏源电压Vds P沟道
60V
连续漏极电流 Id P沟道
2.4A
漏源导通电阻P沟道
0.1ohm
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
1.4W
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
60V
连续漏极电流 Id N沟道
2.4A
漏源通态电阻N沟道
0.1ohm
晶体管封装类型
SOIC
耗散功率N沟道
1.4W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (04-Feb-2026)
SI4948BEY-T1-E3 的替代之选
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Israel
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Israel
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000262