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SI4946CDY-T1-GE3
双路场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 60 V, 6.1 A, 6.1 A, 0.033 ohm
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
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| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY7.820 | CNY39.10 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY7.820 (CNY8.8366) |
| 50+ | CNY6.630 (CNY7.4919) |
| 100+ | CNY5.420 (CNY6.1246) |
| 500+ | CNY4.240 (CNY4.7912) |
| 1000+ | CNY3.630 (CNY4.1019) |
整卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 2500+ | CNY3.570 (CNY4.0341) |
| 7500+ | CNY3.080 (CNY3.4804) |
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SI4946CDY-T1-GE3复制
库存编号
整卷4320237
复卷2846626RL
切割卷带2846626
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压Vds N沟道60V
漏源电压Vds P沟道60V
连续漏极电流 Id N沟道6.1A
连续漏极电流 Id P沟道6.1A
漏源通态电阻N沟道0.033ohm
漏源导通电阻P沟道0.033ohm
晶体管封装类型SOIC
针脚数8引脚
耗散功率N沟道2.8W
耗散功率P沟道2.8W
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (04-Feb-2026)
产品概述
Dual N-channel 60V (D-S) MOSFET suitable for use in DC/DC converter, load switch, inverters and circuit protection applications.
- TrenchFET® power MOSFET
- 100% Rg tested
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长, 交货日期可能会有延迟.
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds P沟道
60V
连续漏极电流 Id P沟道
6.1A
漏源导通电阻P沟道
0.033ohm
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
2.8W
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
60V
连续漏极电流 Id N沟道
6.1A
漏源通态电阻N沟道
0.033ohm
晶体管封装类型
SOIC
耗散功率N沟道
2.8W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (04-Feb-2026)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00016