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SI4946CDY-T1-GE3
双路场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 60 V, 6.1 A, 6.1 A, 0.033 ohm
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY8.950 | CNY44.75 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY8.950 (CNY10.1135) |
| 50+ | CNY7.540 (CNY8.5202) |
| 100+ | CNY6.120 (CNY6.9156) |
| 500+ | CNY5.120 (CNY5.7856) |
| 1000+ | CNY4.370 (CNY4.9381) |
整卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 2500+ | CNY3.500 (CNY3.955) |
| 7500+ | CNY3.430 (CNY3.8759) |
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产品信息
产品概述
Dual N-channel 60V (D-S) MOSFET suitable for use in DC/DC converter, load switch, inverters and circuit protection applications.
- TrenchFET® power MOSFET
- 100% Rg tested
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长, 交货日期可能会有延迟.
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds P沟道
60V
连续漏极电流 Id P沟道
6.1A
漏源导通电阻P沟道
0.033ohm
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
2.8W
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
60V
连续漏极电流 Id N沟道
6.1A
漏源通态电阻N沟道
0.033ohm
晶体管封装类型
SOIC
耗散功率N沟道
2.8W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (04-Feb-2026)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00016