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SI4925DDY-T1-GE3
双路场效应管, MOSFET, P通道, 30 V, 8 A
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| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY8.570 | CNY42.85 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY8.570 (CNY9.6841) |
| 50+ | CNY7.160 (CNY8.0908) |
| 100+ | CNY5.750 (CNY6.4975) |
| 500+ | CNY4.580 (CNY5.1754) |
| 1000+ | CNY4.190 (CNY4.7347) |
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产品概述
The SI4925DDY-T1-GE3 is a -30V Dual P-channel TrenchFET® Power MOSFET. Suitable for load switches, notebook PCs, desktop PCs and game station applications. The surface-mounted LITTLE FOOT® power MOSFET uses integrated circuit and small-signal packages which have been modified to provide the heat transfer capabilities required by power devices.
- Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition
- 100% UIS Tested
技术规格
通道类型
P通道
漏源电压Vds P沟道
30V
连续漏极电流 Id P沟道
8A
漏源导通电阻P沟道
0.024ohm
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
5W
产品范围
-
湿气敏感性等级
-
漏源电压Vds N沟道
-
连续漏极电流 Id N沟道
-
漏源通态电阻N沟道
-
晶体管封装类型
SOIC
耗散功率N沟道
-
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (04-Feb-2026)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0002