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SI4850EY-T1-GE3
功率场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 6 A, 0.022 ohm, SOIC, 表面安装
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY15.750 | CNY78.75 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY15.750 (CNY17.7975) |
| 50+ | CNY13.290 (CNY15.0177) |
| 100+ | CNY10.820 (CNY12.2266) |
| 500+ | CNY8.650 (CNY9.7745) |
| 1000+ | CNY8.000 (CNY9.040) |
品項附註
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产品概述
The SI4850EY-T1-GE3 is a TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET with reduced total dynamic gate charge (Qg).
- Fast switching
- 175°C Maximum junction temperature
- Halogen-free
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
6A
晶体管封装类型
SOIC
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
3.3W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (04-Feb-2026)
漏源电压, Vds
60V
漏源接通状态电阻
0.022ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
3V
针脚数
8引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Israel
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Israel
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000142