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SI4848DY-T1-GE3
功率场效应管, MOSFET, N通道, 150 V, 2.7 A, 0.085 ohm, NSOIC, 表面安装
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY12.890 | CNY64.45 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY12.890 (CNY14.5657) |
| 50+ | CNY10.820 (CNY12.2266) |
| 100+ | CNY8.740 (CNY9.8762) |
| 500+ | CNY6.970 (CNY7.8761) |
| 1000+ | CNY6.390 (CNY7.2207) |
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产品概述
The SI4848DY-T1-GE3 is a 150VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET with antiparallel diode.
- -55 to 150°C Operating temperature range
- Halogen-free
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
2.7A
晶体管封装类型
NSOIC
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
1.5W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (04-Feb-2026)
漏源电压, Vds
150V
漏源接通状态电阻
0.085ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
2V
针脚数
8引脚
产品范围
TrenchFET
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
SI4848DY-T1-GE3 的替代之选
找到 2 件产品
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Israel
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Israel
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000135