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SI4848DY-T1-E3
功率场效应管, MOSFET, N通道, 150 V, 2.7 A, 0.085 ohm, SOIC, 表面安装
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY11.590 | CNY57.95 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY11.590 (CNY13.0967) |
| 50+ | CNY10.300 (CNY11.639) |
| 100+ | CNY9.000 (CNY10.170) |
| 500+ | CNY7.320 (CNY8.2716) |
| 1000+ | CNY6.480 (CNY7.3224) |
整卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 2500+ | CNY5.130 (CNY5.7969) |
| 7500+ | CNY5.030 (CNY5.6839) |
品項附註
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SI4848DY-T1-E3
库存编号
整卷2335066
复卷1653685RL
切割卷带1653685
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds150V
电流, Id 连续2.7A
漏源接通状态电阻0.085ohm
晶体管封装类型SOIC
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值2V
功率耗散1.5W
针脚数8引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (04-Feb-2026)
产品概述
- N-channel 150V (D-S) TrenchFET® power MOSFET
警告
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
2.7A
晶体管封装类型
SOIC
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
1.5W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (04-Feb-2026)
漏源电压, Vds
150V
漏源接通状态电阻
0.085ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
2V
针脚数
8引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
SI4848DY-T1-E3 的替代之选
找到 3 件产品
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Israel
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Israel
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00035