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SI4840BDY-T1-GE3
功率场效应管, MOSFET, N通道, 40 V, 19 A, 9000 µohm, NSOIC, 表面安装
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SI4840BDY-T1-GE3
库存编号2335320
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds40V
电流, Id 连续19A
漏源接通状态电阻9000µohm
晶体管封装类型NSOIC
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值1V
功率耗散6W
针脚数8引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (04-Feb-2026)
产品概述
SI4840BDY-T1-GE3 是一款40V N沟道TrenchFET® 功率MOSFET。适用于同步整流, 中间总线转换器和负载点转换器电路。表面安装LITTLE FOOT®功率MOSFET采用集成电路和小信号封装, 经过优化, 提供热传导能力, 适用于功率器件。
- 无卤素, 符合IEC 61249-2-21标准
- 100％Rg经过测试
- 100％UIS经过测试
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
19A
晶体管封装类型
NSOIC
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
6W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (04-Feb-2026)
漏源电压, Vds
40V
漏源接通状态电阻
9000µohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1V
针脚数
8引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
SI4840BDY-T1-GE3 的替代之选
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (04-Feb-2026)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000236