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SI4825DDY-T1-GE3
功率场效应管, MOSFET, P通道, 30 V, 14.9 A, 0.0125 ohm, SOIC, 表面安装
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY9.600 | CNY48.00 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY9.600 (CNY10.848) |
| 50+ | CNY8.010 (CNY9.0513) |
| 100+ | CNY6.410 (CNY7.2433) |
| 500+ | CNY5.090 (CNY5.7517) |
| 1000+ | CNY4.400 (CNY4.972) |
品項附註
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产品概述
SI4825DDY-T1-GE3 是一款30VDS TrenchFET® P沟道增强型功率MOSFET, 适用于负载开关和笔记本电脑适配器开关应用。
- 100％Rg经过测试
- 100％UIS经过测试
- 无卤素
- 工作温度范围: -55至150°C
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长, 交货日期可能会有延迟.
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
14.9A
晶体管封装类型
SOIC
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
2.7W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (04-Feb-2026)
漏源电压, Vds
30V
漏源接通状态电阻
0.0125ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1.4V
针脚数
8引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0005