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SI4559ADY-T1-GE3
双路场效应管, MOSFET, 互补N与P沟道, 60 V, 60 V, 5.3 A, 5.3 A, 0.046 ohm
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY10.980 | CNY54.90 |
切割卷带
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY10.980 (CNY12.4074) |
| 50+ | CNY9.300 (CNY10.509) |
| 100+ | CNY7.630 (CNY8.6219) |
| 500+ | CNY6.460 (CNY7.2998) |
| 1000+ | CNY6.370 (CNY7.1981) |
整卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 2500+ | CNY5.210 (CNY5.8873) |
| 7500+ | CNY5.110 (CNY5.7743) |
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SI4559ADY-T1-GE3
库存编号
整卷2335061
切割卷带3772758
产品范围Trench Series
技术数据表
通道类型互补N与P沟道
漏源电压Vds N沟道60V
漏源电压Vds P沟道60V
连续漏极电流 Id N沟道5.3A
连续漏极电流 Id P沟道5.3A
漏源通态电阻N沟道0.046ohm
漏源导通电阻P沟道0.046ohm
晶体管封装类型SOIC
针脚数8引脚
耗散功率N沟道3.1W
耗散功率P沟道3.1W
工作温度最高值150°C
产品范围Trench Series
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
技术规格
通道类型
互补N与P沟道
漏源电压Vds P沟道
60V
连续漏极电流 Id P沟道
5.3A
漏源导通电阻P沟道
0.046ohm
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
3.1W
产品范围
Trench Series
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
60V
连续漏极电流 Id N沟道
5.3A
漏源通态电阻N沟道
0.046ohm
晶体管封装类型
SOIC
耗散功率N沟道
3.1W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000383