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SI4532CDY-T1-GE3
双路场效应管, MOSFET, 互补N与P沟道, 30 V, 30 V, 6 A, 6 A, 0.038 ohm
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY6.530 | CNY32.65 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY6.530 (CNY7.3789) |
| 50+ | CNY5.420 (CNY6.1246) |
| 100+ | CNY4.300 (CNY4.859) |
| 500+ | CNY3.380 (CNY3.8194) |
| 1000+ | CNY3.000 (CNY3.390) |
整卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 2500+ | CNY2.350 (CNY2.6555) |
| 7500+ | CNY2.310 (CNY2.6103) |
品項附註
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产品信息
产品概述
SI4532CDY-T1-GE3 是一款30V, 双N和P沟道TrenchFET® 功率MOSFET。 适用于DC-DC转换器和负载开关应用。表面安装LITTLE FOOT®功率MOSFET采用集成电路和小信号封装, 经过优化, 提供热传导能力, 适用于功率器件。
- 无卤素, 符合IEC 61249-2-21标准
- 100％Rg经过测试
- 100％UIS经过测试
技术规格
通道类型
互补N与P沟道
漏源电压Vds P沟道
30V
连续漏极电流 Id P沟道
6A
漏源导通电阻P沟道
0.038ohm
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
2.78W
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
30V
连续漏极电流 Id N沟道
6A
漏源通态电阻N沟道
0.038ohm
晶体管封装类型
SOIC
耗散功率N沟道
2.78W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (04-Feb-2026)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0005