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SI4490DY-T1-E3
功率场效应管, MOSFET, N通道, 200 V, 2.85 A, 0.08 ohm, SOIC, 表面安装
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY14.840 (CNY16.7692) |
| 10+ | CNY12.630 (CNY14.2719) |
| 100+ | CNY11.960 (CNY13.5148) |
| 500+ | CNY11.280 (CNY12.7464) |
| 1000+ | CNY9.440 (CNY10.6672) |
| 5000+ | CNY8.610 (CNY9.7293) |
包装规格：单件（切割供应）
最低: 1
多件: 1
CNY14.84 (CNY16.77 含税)
品項附註
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技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
2.85A
晶体管封装类型
SOIC
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
1W
工作温度最高值
150°C
合规
-
漏源电压, Vds
200V
漏源接通状态电阻
0.08ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
2V
针脚数
8引脚
产品范围
TrenchFET Series
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (04-Feb-2026)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.015