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SI4483ADY-T1-GE3
功率场效应管, MOSFET, P通道, 30 V, 19.2 A, 8800 µohm, SOIC, 表面安装
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| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY9.590 | CNY47.95 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY9.590 (CNY10.8367) |
| 50+ | CNY8.070 (CNY9.1191) |
| 100+ | CNY6.540 (CNY7.3902) |
| 500+ | CNY6.070 (CNY6.8591) |
| 1000+ | CNY5.730 (CNY6.4749) |
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SI4483ADY-T1-GE3复制
库存编号
复卷2335315RL
切割卷带2335315
技术数据表
通道类型P通道
漏源电压, Vds30V
电流, Id 连续19.2A
漏源接通状态电阻8800µohm
晶体管封装类型SOIC
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压4.5V
阈值栅源电压最大值2.1V
功率耗散5.9W
针脚数8引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (04-Feb-2026)
产品概述
SI4483ADY-T1-GE3 是一款30VDS TrenchFET® P沟道增强型功率MOSFET, 适用于适配器开关应用。
- 100％Rg经过测试
- 100％UIS经过测试
- 无卤素
- 工作温度范围: -55至150°C
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
19.2A
晶体管封装类型
SOIC
Rds(on)测试电压
4.5V
功率耗散
5.9W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (04-Feb-2026)
漏源电压, Vds
30V
漏源接通状态电阻
8800µohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
2.1V
针脚数
8引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000129