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SI4464DY-T1-E3
功率场效应管, MOSFET, N通道, 200 V, 1.7 A, 0.24 ohm, SOIC, 表面安装
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY10.730 (CNY12.1249) |
| 10+ | CNY9.140 (CNY10.3282) |
| 100+ | CNY8.650 (CNY9.7745) |
| 500+ | CNY8.160 (CNY9.2208) |
| 1000+ | CNY6.830 (CNY7.7179) |
| 5000+ | CNY6.230 (CNY7.0399) |
包装规格：单件（切割供应）
最低: 1
多件: 1
CNY10.73 (CNY12.12 含税)
品項附註
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技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
1.7A
晶体管封装类型
SOIC
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
2.5W
工作温度最高值
150°C
合规
-
漏源电压, Vds
200V
漏源接通状态电阻
0.24ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
2V
针脚数
8引脚
产品范围
TrenchFET Series
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (04-Feb-2026)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
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产品合规证书
重量（千克）：.015