打印页面
SI4463CDY-T1-GE3
功率场效应管, MOSFET, P通道, 20 V, 18.6 A, 8000 µohm, SOIC, 表面安装
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
18,173 有货
需要更多？
18173 件可于 5-6 个工作日内送达(英国 库存)
包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY7.660 | CNY38.30 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY7.660 (CNY8.6558) |
| 50+ | CNY6.430 (CNY7.2659) |
| 100+ | CNY5.190 (CNY5.8647) |
| 500+ | CNY4.110 (CNY4.6443) |
| 1000+ | CNY3.770 (CNY4.2601) |
品項附註
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SI4463CDY-T1-GE3
库存编号
复卷2056686RL
切割卷带2056686
技术数据表
通道类型P通道
漏源电压, Vds20V
电流, Id 连续18.6A
漏源接通状态电阻8000µohm
晶体管封装类型SOIC
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值600mV
功率耗散5W
针脚数8引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (04-Feb-2026)
产品概述
SI4463CDY-T1-GE3 是一款2.5VGS TrenchFET® P沟道增强型功率MOSFET, 适用于适配器开关, 大电流负载开关, 笔记本电脑应用。
- 100％Rg经过测试
- 100％UIS经过测试
- 无卤素
- 工作温度范围: -55至150°C
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
18.6A
晶体管封装类型
SOIC
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
5W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (04-Feb-2026)
漏源电压, Vds
20V
漏源接通状态电阻
8000µohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
600mV
针脚数
8引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
相关产品
找到 1 件产品
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.001588