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SI4463CDY-T1-GE3
功率场效应管, MOSFET, P通道, 20 V, 18.6 A, 8000 µohm, SOIC, 表面安装
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY8.740 | CNY43.70 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY8.740 (CNY9.8762) |
| 50+ | CNY7.320 (CNY8.2716) |
| 100+ | CNY5.900 (CNY6.667) |
| 500+ | CNY4.680 (CNY5.2884) |
| 1000+ | CNY4.280 (CNY4.8364) |
整卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 2500+ | CNY2.960 (CNY3.3448) |
| 7500+ | CNY2.950 (CNY3.3335) |
品項附註
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产品概述
SI4463CDY-T1-GE3 是一款2.5VGS TrenchFET® P沟道增强型功率MOSFET, 适用于适配器开关, 大电流负载开关, 笔记本电脑应用。
- 100％Rg经过测试
- 100％UIS经过测试
- 无卤素
- 工作温度范围: -55至150°C
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
18.6A
晶体管封装类型
SOIC
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
5W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (04-Feb-2026)
漏源电压, Vds
20V
漏源接通状态电阻
8000µohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
600mV
针脚数
8引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.001588