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SI4463BDY-T1-E3
功率场效应管, MOSFET, P通道, 20 V, 9.8 A, 0.011 ohm, SOIC, 表面安装
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| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY19.050 | CNY19.05 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY19.050 (CNY21.5265) |
| 10+ | CNY12.280 (CNY13.8764) |
| 100+ | CNY8.390 (CNY9.4807) |
| 500+ | CNY7.180 (CNY8.1134) |
| 1000+ | CNY5.850 (CNY6.6105) |
| 5000+ | CNY5.700 (CNY6.441) |
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SI4463BDY-T1-E3
库存编号
复卷1497616RL
切割卷带1497616
技术数据表
通道类型P通道
漏源电压, Vds20V
电流, Id 连续9.8A
漏源接通状态电阻0.011ohm
晶体管封装类型SOIC
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压12V
阈值栅源电压最大值1.4V
功率耗散1.5W
针脚数8引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (15-Jun-2015)
SI4463BDY-T1-E3 的替代之选
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产品概述
The SI4463BDY-T1-E3 is a 2.5VGS TrenchFET® P-channel enhancement-mode Power MOSFET with antiparallel diode.
- -55 to 150°C Operating temperature range
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
9.8A
晶体管封装类型
SOIC
Rds(on)测试电压
12V
功率耗散
1.5W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (15-Jun-2015)
漏源电压, Vds
20V
漏源接通状态电阻
0.011ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1.4V
针脚数
8引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00032