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SI4435DDY-T1-GE3
功率场效应管, MOSFET, P通道, 30 V, 8.1 A, 0.024 ohm, SOIC, 表面安装
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY5.900 | CNY29.50 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY5.900 (CNY6.667) |
| 50+ | CNY4.930 (CNY5.5709) |
| 100+ | CNY3.950 (CNY4.4635) |
| 500+ | CNY3.110 (CNY3.5143) |
| 1000+ | CNY2.830 (CNY3.1979) |
整卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 2500+ | CNY2.650 (CNY2.9945) |
| 7500+ | CNY2.390 (CNY2.7007) |
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SI4435DDY-T1-GE3
库存编号
整卷2335059
复卷1858951RL
切割卷带1858951
技术数据表
通道类型P通道
漏源电压, Vds30V
电流, Id 连续8.1A
漏源接通状态电阻0.024ohm
晶体管封装类型SOIC
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值3V
功率耗散2.5W
针脚数8引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (04-Feb-2026)
产品概述
SI4435DDY-T1-GE3 是一款-30V P沟道TrenchFET®功率MOSFET, 先进的高密度工艺。表面安装LITTLE FOOT®功率MOSFET采用集成电路和小信号封装, 经过优化, 提供热传导能力, 适用于功率器件。
- 无卤素, 符合IEC 61249-2-21标准
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
8.1A
晶体管封装类型
SOIC
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
2.5W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (04-Feb-2026)
漏源电压, Vds
30V
漏源接通状态电阻
0.024ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
3V
针脚数
8引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
SI4435DDY-T1-GE3 的替代之选
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000142