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SI4431CDY-T1-GE3
功率场效应管, MOSFET, P通道, 30 V, 9 A, 0.032 ohm, SOIC, 表面安装
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| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY8.200 | CNY41.00 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY8.200 (CNY9.266) |
| 50+ | CNY6.920 (CNY7.8196) |
| 100+ | CNY5.640 (CNY6.3732) |
| 500+ | CNY4.470 (CNY5.0511) |
| 1000+ | CNY3.860 (CNY4.3618) |
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SI4431CDY-T1-GE3复制
库存编号
复卷1858950RL
切割卷带1858950
技术数据表
通道类型P通道
漏源电压, Vds30V
电流, Id 连续9A
漏源接通状态电阻0.032ohm
晶体管封装类型SOIC
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值2.5V
功率耗散4.2W
针脚数8引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (04-Feb-2026)
产品概述
SI4431CDY-T1-GE3 is a single, P-channel 30V (D-S) MOSFET suitable for load switch and battery switch.
- TrenchFET® power MOSFET
- 100% Rg tested
- VDS is -30V, 0.032ohm RDS(on) max at VGS = -10V
- ±20V gate-source voltage
- 4.2W maximum power dissipation at TC = 25°C
- Pulsed drain current IDM is -30A
- Operating temperature range -55 to 150°C
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长, 交货日期可能会有延迟.
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
9A
晶体管封装类型
SOIC
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
4.2W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (04-Feb-2026)
漏源电压, Vds
30V
漏源接通状态电阻
0.032ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
2.5V
针脚数
8引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000136