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SI4431BDY-T1-E3
功率场效应管, MOSFET, P通道, 30 V, 5.8 A, 0.03 ohm, SOIC, 表面安装
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| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY9.940 | CNY9.94 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY9.940 (CNY11.2322) |
| 10+ | CNY7.190 (CNY8.1247) |
| 100+ | CNY5.740 (CNY6.4862) |
| 500+ | CNY4.670 (CNY5.2771) |
| 1000+ | CNY4.130 (CNY4.6669) |
| 5000+ | CNY3.890 (CNY4.3957) |
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产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SI4431BDY-T1-E3
库存编号
复卷1612646RL
切割卷带1612646
技术数据表
通道类型P通道
漏源电压, Vds30V
电流, Id 连续5.8A
漏源接通状态电阻0.03ohm
晶体管封装类型SOIC
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值1V
功率耗散2.5W
针脚数8引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (04-Feb-2026)
产品概述
The SI4431BDY-T1-E3 is a -30V P-channel TrenchFET® Power MOSFET with advance high density process. The surface-mounted LITTLE FOOT® power MOSFET uses integrated circuit and small-signal packages which have been modified to provide the heat transfer capabilities required by power devices.
- Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
5.8A
晶体管封装类型
SOIC
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
2.5W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (04-Feb-2026)
漏源电压, Vds
30V
漏源接通状态电阻
0.03ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1V
针脚数
8引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
SI4431BDY-T1-E3 的替代之选
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000225